MRAM은 자성 메모리 무엇입니까?
MRAM은 현재 D 램 기술에 대한 현실적인 대안으로 간주되고있습니다 (Magnetoresistive 랜덤 액세스 메모리). 후자로의 키 차이가 자기장을 사용하는 메모리 "영구하게 메모리 비트를 저장하는 것입니다." 등, MRAM은 기술이 빠른 액세스 및 데이터 보안을 가능케한다.
현재의 RAM 기술
현재의 RAM 메모리 비트를 저장하는 기술은 전기 요금을 사용합니다. Microminiaturized 커패시터와 트랜지스터는 통합 회로에 '있다'를 쌓아 높이를 만들 - 밀도, 대형 - 메모리하지만 작은 칩을 물리적. 전형적인 메모리 칩 매장 수 있도록 최대 1 GB의 CPU에 의해 더 많은 프로그램과 데이터에 대한 즉각적인 사용을 위해 캐싱됩니다.
현재의 RAM 기술과 가장 큰 문제는 그들의 전기 요금을 누설 커패시터이다. 정보의 손실이 발생합니다. 따라서 축전지의 전기 요금을 지속적으로 사용할 수있는 정보와 쉽게 활성을 유지하는이 재정립되어야한다. 이것은 일정한 전력 소스에 대한 필요성 - 컴퓨터와 함께가 아니라 문제를 전원 콘센트에 꽂혀 (하지 않으면 전원을 실수로)하지만 잘라 노트북 또는 휴대용 컴퓨터와 관련된 문제를 사용하는 배터리, 메모리의 배터리가 완전히 소모 상쾌 상수 의미합니다.
이것은 또 다른 문제를 리드 - 전기 전원 끄기 (심의하거나 컴퓨터의 폐쇄 우발) RAM에 캐시된 모든 정보가 사라지는 것을 의미합니다. 다시 시작하고 사용자에 대한 유휴 시간 '에이 결과가'다시로드해야하는 모든 프로그램, 시스템 및 데이터를위한 시간이 필요합니다.
MRAM은의 출현
MRAM은 자성 요소를 사용하여 정보를 저장, 2 개의 마그네틱 번호판의 형태 이내에 - 얇은 절연 레이어로 구분된 - 단일 세포 양식. 반면 외부 필드와 함께 다양 한 접시, 특정 자성 극성있다. MRAM은 이러한 세포의 격자의 한 단위로 구성되어있다.
an MRAM은 칩의 주요 장점은 필요가 없다는 전기 요금의 정기적인 응용 프로그램을 통해 정보를 새로 고치는 것입니다;조차하지 않는 정보를 지우고 컴퓨터를 종료합니다. 같은 시작 - 최대 루틴 빠른; 방금 컴퓨터에서 마지막 세션이 즉시 사용할 수있다 차례. 동시에, 거기에 예기치 않은 정전으로부터 데이터의 손실 위험을 줄일 수있다.
거기에 두 MRAMs 나쁜점 그러나, 그것을 막을 수있다는 주류에 합류부터. 자기 분야에서 데이터를 변경하면 기존의 RAM 칩보다 더 큰 전원 입력이 필요합니다; 효과에, 지속적인 전원 공급 장치에 대한 필요성이 더 큰 힘을 필요로 대체됩니다. 또, 자기 분야의 성격을 내포 육체적으로 더 큰 메모리 '세포'- 같은 크기의 RAM 칩에 MRAM은 칩 매장보다 적은 메모리를합니다.
지속적인 연구의 다양한 접근 방법을 모두 사용하여 이러한 문제를 해결하는 것을 목표로합니다. MRAM은 칩 제조 업체에 대량보고 있지만 일부 업체의 준비, 유골이 성공적으로 전원 입력 여부 및 크기 문제를 해결하는 것입니다 볼 수있습니다. 이 해결되는 경우와 MRAM은 칩의 가격은 현재의 RAM 칩의, 우리는 컴퓨터가 작동을 시작하는 방법에 혁명을 볼 수있을 것이라고 일치합니다.
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